編號(hào)：NMJS04154
篇名：DC-HCPCVD法高CH_4流量下納米金剛石膜的制備及生長(zhǎng)特性研究
作者：吳春雷； 黃海亮； 鄭友進(jìn)； 李明； 張軍；
關(guān)鍵詞：直流熱陰極； 納米金剛石膜； CH4流量；
機(jī)構(gòu)： 牡丹江師范學(xué)院理學(xué)院； 牡丹江師范學(xué)院新型碳基功能與超硬材料黑龍江省重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室； 牡丹江師范學(xué)院工學(xué)院；
摘要： 在CH4/H2氣氛下,利用直流熱陰極PCVD(plasma chemical vapor deposition)設(shè)備,在高CH4流量下制備納米金剛石膜。對(duì)制備的樣品通過(guò)掃描電子顯微鏡、拉曼光譜儀、X射線衍射儀對(duì)其進(jìn)行表征。結(jié)果表明:隨著CH4流量的增加,晶粒尺寸明顯減小,表面變得更加平滑,但非金剛石相增多,膜的品質(zhì)下降。同時(shí)CH4流量增加,促進(jìn)了(110)面的生長(zhǎng),當(dāng)CH4流量達(dá)到12 sccm,具有(110)方向的擇優(yōu)取向。
