編號(hào)：NMJS04183
篇名：低能離子束誘導(dǎo)單晶硅點(diǎn)狀納米結(jié)構(gòu)與光學(xué)性能研究
作者：陳智利； 劉衛(wèi)國(guó)；
關(guān)鍵詞：表面光學(xué)； 微納米制造技術(shù)； 自組織納米結(jié)構(gòu)； 低能離子束刻蝕； 表面形貌； 光學(xué)透射率；
機(jī)構(gòu)： 西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)院；
摘要： 使用微波回旋共振離子源,研究了低能Ar+束在不同入射角度下對(duì)旋轉(zhuǎn)單晶硅(100)表面的刻蝕效果及其光學(xué)性能。結(jié)果表明:樣品旋轉(zhuǎn)、離子束能量為1000eV、束流密度為265μA/cm2、刻蝕時(shí)間為60min時(shí),在不同入射角度下,刻蝕后的樣品表面可形成均勻的自組裝點(diǎn)狀結(jié)構(gòu)。入射角度為0°～25°時(shí),隨著角度增加,樣品表面粗糙度增大,點(diǎn)狀結(jié)構(gòu)有序性更強(qiáng),光學(xué)透射率提高;繼續(xù)增加入射角度,樣品表面粗糙度及點(diǎn)狀結(jié)構(gòu)尺寸開(kāi)始減小,光學(xué)透射率降低;增加入射角度到45$時(shí),自組裝點(diǎn)狀結(jié)構(gòu)消失,粗糙度和平均光學(xué)透射率達(dá)到最小值分別為0.83nm和55.05%;進(jìn)一步增加入射角度,樣品表面再次出現(xiàn)自組織裝點(diǎn)狀結(jié)構(gòu),表面粗糙度急劇增大,入射角度在65$時(shí),平均光學(xué)透射率達(dá)到極大值64.59%;此后,隨著離子束入射角度的增加,表面粗糙度緩慢減小,光學(xué)透射率降低。自組織結(jié)構(gòu)變化是濺射粗糙化和表面弛豫機(jī)制相互作用的結(jié)果。
