編號：CPJS01825
篇名：硼氮摻雜石墨烯導(dǎo)電性及電荷分布的研究
作者：楊忠志； 戰(zhàn)立堂
關(guān)鍵詞：密度泛函理論； 原子鍵電負(fù)性均衡原理； 摻雜石墨烯； 能隙； 電荷分布
機(jī)構(gòu)： 遼寧師范大學(xué)化學(xué)化工學(xué)院； 遼寧師范大學(xué)物理與電子技術(shù)學(xué)院
摘要： 利用密度泛函理論(B3LYP/6-31G(d,p))方法,對所選取的摻雜硼氮石墨烯分子模型進(jìn)行了優(yōu)化.比較其(LUMO-HOMO)能隙,可以得出,在石墨烯鋸齒形邊緣摻雜一個(gè)硼或氮原子會對其電子特性產(chǎn)生規(guī)律性的影響.為了更直觀的分析摻雜硼氮原子對石墨烯的影響,繪制了摻雜石墨烯態(tài)密度圖.通過觀察態(tài)密度圖得出摻雜一個(gè)硼或氮原子會降低石墨烯導(dǎo)電性.在摻雜石墨烯中定義了摻雜物的ABEEMσπ標(biāo)號以HF/STO-3G方法計(jì)算的體系電荷為基準(zhǔn),擬合確定了所定義標(biāo)號的ABEEMσπ參數(shù)之后,應(yīng)用其計(jì)算的摻雜石墨烯的電荷分布與從頭算計(jì)算結(jié)果一致.結(jié)果表明此模型可用于計(jì)算此類大分子體系的電荷分布.
