編號：NMJS04196
篇名：氧化石墨烯/聚苯胺納米線復(fù)合材料的制備及電化學(xué)電容性能研究
作者：陳玉華； 戴亞堂； 王偉； 張歡； 申振； 馬麗；
關(guān)鍵詞：氧化石墨烯； 氧化石墨烯/聚苯胺； 納米線陣列； 比電容； 超級電容器；
機(jī)構(gòu)： 西南科技大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院；
摘要： 采用化學(xué)法在氧化石墨烯(GO)表面垂直生長出聚苯胺(PANI)納米線陣列。利用SEM、FT-IR、Raman對所制備的GO/PANI復(fù)合材料的形貌及結(jié)構(gòu)進(jìn)行表征。該復(fù)合材料的電化學(xué)電容性能通過循環(huán)伏安(CV)、交流阻抗(EIS)和恒流充放電進(jìn)行表征。研究結(jié)果表明:在0.2A/g的電流密度下,GO/PANI電極首次充放電比電容可高達(dá)469F/g,高于純PANI電極的452F/g,復(fù)合材料的電荷傳遞電阻為1Ω·cm2。同時(shí),GO/PANI的循環(huán)穩(wěn)定性及倍率特性得到極大的增強(qiáng)。
