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轉(zhuǎn)移矩陣法的納米波導(dǎo)導(dǎo)波特性分析

編號:NMJS04225

篇名:轉(zhuǎn)移矩陣法的納米波導(dǎo)導(dǎo)波特性分析

作者:集成光波導(dǎo); 納米; 轉(zhuǎn)移矩陣; 圖解法

關(guān)鍵詞:集成光波導(dǎo); 納米; 轉(zhuǎn)移矩陣; 圖解法

機(jī)構(gòu): 中國計量學(xué)院信息工程學(xué)院

摘要: 一種新型納米光波導(dǎo)結(jié)構(gòu),由二氧化硅/硅/空氣/硅/二氧化硅五層介質(zhì)構(gòu)成,將光能量限制在低介電常數(shù)的中間空氣狹縫中傳輸,利用轉(zhuǎn)移矩陣法對其傳輸特性進(jìn)行了詳細(xì)分析,推導(dǎo)出了TM模式的本征色散方程,給出了TM模式電場和磁場分布以及電磁場能量分布的解析表達(dá)式.進(jìn)而利用圖解法求解了本證色散方程,分析了硅層和空氣層厚度對電磁場能量分布的影響,給出了波導(dǎo)的優(yōu)化尺寸均在幾百納米左右.對于波導(dǎo)存在一種和兩種TM模式的情況進(jìn)行了分析,單模情況(只存在TM0模)要比多模情況對光能量限制好很多,在多模情況下高階模要比低價模對光的限制好,這是和一般傳統(tǒng)波導(dǎo)不相同的地方;同時光在導(dǎo)波層(低介電常數(shù)的介質(zhì)層)的傳播速度要小于光在相應(yīng)介質(zhì)中的傳播速度,即表現(xiàn)出慢波特性.

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