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碳納米管導電增強聚乙撐二氧噻吩復合材料的研究

編號:NMJS04244

篇名:碳納米管導電增強聚乙撐二氧噻吩復合材料的研究

作者:張輝; 孫偉; 楊鵬;

關(guān)鍵詞:聚乙撐二氧噻吩; 多壁碳納米管; 納米復合材料

機構(gòu): 沈陽化工大學材料科學與工程學院;

摘要: 采用原位聚合法以三氯化鐵作為摻雜劑,過硫酸銨為氧化劑和引發(fā)劑制備碳納米管/聚乙撐二氧噻吩復合材料.通過掃描電鏡(SEM)、透射電鏡(TEM)、紅外光譜(IR)對樣品形貌及結(jié)構(gòu)進行表征,采用循環(huán)伏安測試法(CV)研究碳納米管/聚乙撐二氧噻吩納米復合材料的電化學行為.結(jié)果表明:聚乙撐二氧噻吩納米顆粒均勻包覆于多壁碳納米管的表面,形成核殼結(jié)構(gòu);隨碳納米管含量的增加,復合材料的電化學性能隨之改善,當碳納米管質(zhì)量分數(shù)為28.6%時,碳納米管/聚乙撐二氧噻吩納米復合材料的比電容達到179.8 F/g,且電化學活性最好.

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