編號：NMJS04253
篇名：低能離子束誘導 Ag 表面納米金字塔微結構
作者：陳智利1； 2； 劉衛(wèi)國1； 2； 張錦2； 王蒙皎2
關鍵詞：微納米制造技術； 低能離子束刻蝕； 自組裝納米結構； 離子束輔助； 銀金字塔微結構
機構： 微納米制造技術； 低能離子束刻蝕； 自組裝納米結構； 離子束輔助； 銀金字塔微結構
摘要： 利用離子束濺射誘導實驗方法，在單晶 Si（100）基底上輔助沉積銀膜，研究了低能+Ar離子束 30°入射時，不同離子束能量和束流密度，以及基底溫度對 Ag 納米結構的影響。結果表明：在較低基底溫度下（32°C ~100°C）輔助沉積銀膜，膜層表面會呈現(xiàn)排列緊密、晶粒尺寸一致的金字塔狀納米結構。當溫度升高時（32°C ~200°C），納米微結構橫向尺寸λc 迅速增加，而粗糙度先減小(32℃～100℃)后迅速增大(100℃～200℃)； 當離子束能量 1400eV、束流密度 15μA /cm2～45μA/cm2時，在相同溫度下，隨著離子束束流密度的增大，納米晶粒橫向尺寸基本不變，粗糙度略有增加；當離子束流密度為 15μA/cm2、能量 1000eV～1800eV 時，在相同溫度下，隨著離子束能量的增加，銀納米結構尺寸增加，而表面粗糙度先增加，然后緩慢減小。自組織納米結構的轉變是濺射粗糙化和表面馳豫機制相互作用的結果。
