編號：NMJS04410
篇名：納米中心拓撲晶態(tài)絕緣體碲化錫納米線研究獲得新進展展
作者：
關(guān)鍵詞：納米線； 絕緣體； 拓撲； 表面態(tài)； 納米級； 自旋電子器件； 納米結(jié)構(gòu)； 化學(xué)氣相沉淀法； 比表面積； 首次通過
機構(gòu)： 國家納米科學(xué)中心
摘要： <正>低維納米結(jié)構(gòu)的比表面積大,可以有效的降低體相傳輸對表面的干擾作用因而增強表面態(tài)效應(yīng),更重要的是一維拓撲絕緣體在一維納米級的自旋電子器件領(lǐng)域扮演這重要的角色。國家納米科學(xué)中心何軍課題組使用化學(xué)氣相沉淀法首次合成了高質(zhì)量的單晶碲化錫納米線,并首次通過量子振蕩測試觀察到了它的拓撲表面態(tài)。基于碲化錫納米線的四端器件,Aharonov-Bohm(AB)干涉效應(yīng)和Shubnikov-de Haas(SdH)振蕩被觀察到,它們證實了碲化錫納米線高對稱性表面Dirac電子的存在。
