編號(hào)：NMJS04430
篇名：基于直流磁控濺射晶種層的ZnO納米陣列的制備及性能研究
作者：王璟； 丁雨田； 張楊； 陳小焱； 張?jiān)雒鳎?尚興記；
關(guān)鍵詞：直流磁控濺射； 晶種層薄膜； 納米陣列； ZnO；
機(jī)構(gòu)： 蘭州理工大學(xué)甘肅省有色金屬新材料省部共建國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室；
摘要： 采用直流反應(yīng)磁控濺射法制備晶種層薄膜,研究O2/Ar氣體分壓比和退火溫度對(duì)晶種層結(jié)構(gòu)和微觀形貌的影響。通過化學(xué)水浴沉積,在預(yù)制有晶種層的薄膜上制備ZnO納米陣列結(jié)構(gòu),研究不同前驅(qū)體濃度和預(yù)制晶種層對(duì)納米陣列生長(zhǎng)的影響。結(jié)果表明,當(dāng)O2/Ar中O2分壓減少,薄膜均勻性較差,當(dāng)Ar分壓增加薄膜由于擴(kuò)散而趨于平整。退火溫度增加,晶粒尺寸增大,內(nèi)應(yīng)力降低。磁控濺射法預(yù)制的晶種層上生長(zhǎng)的納米棒垂直于襯底生長(zhǎng),(002)晶面的衍射峰強(qiáng)最高,說明納米棒沿c軸擇優(yōu)取向。生長(zhǎng)液的濃度對(duì)納米棒的形貌影響顯著,隨著生長(zhǎng)液濃度的升高,ZnO納米陣列直徑增大,頂端趨于平整的六棱柱結(jié)構(gòu)。
