編號：NMJS04509
篇名：電場和線度對半導體納米管譜線強度和吸收系數(shù)的影響
作者：吳強；
關(guān)鍵詞：半導體納米管； 吸收系數(shù)； 譜線強度； 頻率；
機構(gòu)： 重慶文理學院電子電氣工程學院；
摘要： 建立在無限深勢阱下的半導體納米管物理模型,在偶極近似下,求出半導體納米管的譜線吸收系數(shù)、強度和頻率.以HgS為管層,CdS為內(nèi)核和外殼的半導體納米管為例,探討了線度和電場對譜線吸收系數(shù)和強度以及頻率的影響,結(jié)果表明:在相同線度下,不同能帶不同能級間的量子躍遷發(fā)出譜線的頻率和強度遠大于同能帶不同能級的情形,見到的譜線基本上是由不同能帶不同能級躍遷時所發(fā)出;譜線的吸收系數(shù)和強度以及頻率均隨電場增大而增大;電場一定時,譜線的強度和吸收系數(shù)隨線度增大而增大;譜線的吸收系數(shù)主要取決于電場和能級的躍遷情況,而與是否屬同一能帶無關(guān).
