編號：NMJS04539
篇名：金屬Au納米膜的電子輸運及非線性效應(yīng)
作者：殷子文； 劉翠君； 李建寬； 丁玉保； 孟慶云；
關(guān)鍵詞：納米結(jié)構(gòu)Au膜； 多重方勢壘； 數(shù)值模擬； 振蕩效應(yīng)； 電子輸運；
機構(gòu)： 北京化工大學(xué)理學(xué)院；
摘要： 使用Matlab軟件對N方勢壘在偏壓下電流隨電壓的變化關(guān)系進(jìn)行了模擬計算,計算結(jié)果表明N方勢壘的伏安特性(I-V)曲線上顯現(xiàn)出非線性效應(yīng)和震蕩效應(yīng)。利用濺射方法將Au顆粒沉積在經(jīng)過電化學(xué)腐蝕處理的硅基片上,得到具有納米結(jié)構(gòu)的Au膜。采用SEM對基片表面上的金膜進(jìn)行觀察,發(fā)現(xiàn)了納米顆粒的聚集體,樣品的I-V曲線測試結(jié)果表明:常溫下,測得電流在0至1.5×10-6A范圍內(nèi),樣品電阻率呈非線性電阻效應(yīng)和振蕩效應(yīng);N方勢壘模型的模擬計算結(jié)果與實驗測量結(jié)果很好的吻合。
