編號(hào)：NMJS04656
篇名：利用自組裝Ni納米點(diǎn)為掩膜制備GaN納米柱陣列
作者：吳玉新； 曹玉萍
關(guān)鍵詞：Ni納米點(diǎn)； 自組裝； 快速熱退火(RTA)； GaN納米柱陣列； GaN模板
機(jī)構(gòu)： 山東女子學(xué)院信息技術(shù)學(xué)院； 齊魯工業(yè)大學(xué)理學(xué)院
摘要： 采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)和電子束蒸發(fā)法在Si基GaN模板上先后淀積一層SiO2和Ni薄膜,接著在氮?dú)庵锌焖贌嵬嘶?RTA)自組裝生長(zhǎng)Ni納米點(diǎn),最后以Ni納米點(diǎn)為掩膜制備GaN納米柱陣列,研究其制備條件的影響。掃描電鏡(SEM)分析顯示,隨著Ni層厚度的減小、退火溫度的降低和時(shí)間的延長(zhǎng),Ni納米點(diǎn)的平均尺寸減小、密度增大。光致發(fā)光譜(PL)研究表明,GaN納米柱比GaN模板的發(fā)光強(qiáng)度提高了約20倍,帶邊峰發(fā)生27 meV藍(lán)移,這歸因于GaN納米柱具有較大的比表面積和張應(yīng)力的部分弛豫。
