編號：NMJS04666
篇名：Pd納米晶修飾TiO_2納米管陣列光電極的制備及性能
作者：程修文； 劉惠玲； 李君敬； 陳清華； 于秀娟； 潘國平；
關鍵詞：TiO2納米管陣列； 光電極； Pd納米晶； 光催化； 甲基藍；
機構： 哈爾濱工業(yè)大學市政環(huán)境工程學院 城市水資源與水環(huán)境國家重點實驗室； 天津工業(yè)大學環(huán)境與化學工程學院； 黑龍江大學環(huán)境科學與工程系；
摘要： 為提高TiO2的可見光催化性能,采用陽極氧化法在Ti箔上原位生成TiO2納米管陣列,再利用陰極電沉積法制備了貴金屬Pd納米晶修飾的TiO2納米管陣列光電極,并利用掃描電子顯微鏡(SEM)、X-射線光電子能譜(XPS)及紫外-可見漫反射光譜(UV-vis DRS)對其表觀形貌、表面形態(tài)及光吸收性能進行表征.結果表明:Pd納米晶有效地修飾在TiO2納米管陣列的表面,且以Pd0形式存在.此外,Pd納米晶修飾明顯拓展了TiO2納米管陣列的可見光響應范圍.以甲基藍為模型污染物,重點考察陰極沉積電壓及沉積時間對其光催化性能的影響.結果表明:陰極沉積電壓為-0.8 V、沉積時間為10 min對甲基藍的光催化降解效果最佳,且符合擬一級反應動力學模型.模擬太陽光下光照120 min對甲基藍的降解率可達71.4%,是純TiO2納米管陣列光電極的1.5倍.
