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電場環(huán)境下納米通道內(nèi)水分子傳輸行為的MD模擬研究

編號:NMJS04750

篇名:電場環(huán)境下納米通道內(nèi)水分子傳輸行為的MD模擬研究

作者:李慧; 樊建芬; 宋學(xué)增; 劉東顏; 李睿; 陳素芳

關(guān)鍵詞:分子動力學(xué)(MD); 電場; 納米通道; 水分子傳輸;

機構(gòu): 蘇州大學(xué)材料與化學(xué)化工學(xué)部;

摘要: 納米通道內(nèi)的水分子傳輸是近年來分子動力學(xué)(MD)模擬研究的熱點之一。本文綜述了電場對納米通道中水分子傳輸行為影響的研究成果,主要介紹了三種施加電場的方法:在通道附近加電荷、在通道兩側(cè)的水相中加離子或帶電荷的氨基酸以及對納米通道直接施加電場。并報道了各類電場對納米通道內(nèi)水的填充平衡及相變行為、水分子偶極取向、水流量、水?dāng)U散速率等產(chǎn)生的影響,以及加電場的各種相關(guān)應(yīng)用,如水流開關(guān)、信號傳輸、水泵及存儲器等。最后,剖析了電場環(huán)境下MD模擬研究中尚待解決的問題。

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