編號：NMJS04869
篇名：納米GaN的制備及其表征
作者：何海成； 盧艷紅； 王洪緒； 華繼昌； 嵇天浩
關鍵詞：GaN； 納米結構； 高溫溶劑法
機構： 廊坊師范學院化學與材料科學學院； 康龍化成(北京)新藥技術有限公司； 中國石油勘探開發(fā)研究院廊坊分院； 北京工商大學化學與環(huán)境工程學院
摘要： 以三苯基氧膦為溶劑、GaCl3為原料、六甲基二硅胺烷為氮源,采用高溫溶劑法合成了GaN納米材料。用X-射線衍射(XRD)、透射電子顯微鏡(TEM)和傅里葉變換紅外光譜(FTIR)對產物進行了表征,結果表明得到了納米結構的GaN粉末。
