編號：FTJS04083
篇名：真空蒸鍍鍺摻雜多晶硅薄膜的研究
作者：王宙； 何旭； 付傳起； 室谷貴之； 楊萍； 曹��；
關鍵詞：真空蒸鍍； 多晶硅薄膜； 鍺摻雜； 晶化率；
機構(gòu)： 大連大學表面工程中心；
摘要： 為了進一步提高多晶硅薄膜的晶化率,采用真空蒸鍍的方法在玻璃襯底上制備了摻雜稀土鍺的多晶硅薄膜。用掃描電子顯微鏡(KYKY-1000B)和顯微激光拉曼光譜儀(JY Labram HR 800)分析研究了不同摻雜分數(shù)的鍺成分對摻鍺多晶硅薄膜的表面形貌、組織結(jié)構(gòu)及薄膜晶化率的影響。結(jié)果表明:隨著鍺摻雜分數(shù)的增加薄膜表面更加平整、晶粒粒徑變大分布更加均勻,晶化率升高;當摻雜分數(shù)為1%時,薄膜表面晶粒尺寸可達1μm、晶化率達到87.37%;但當摻雜分數(shù)超過1%,鍍層表面又變得粗糙、部分晶粒發(fā)生變形、晶化率降低。這說明適量鍺的摻入可以改善多晶硅薄膜表面平整度,促進薄膜表面晶粒的形成和長大,提高薄膜晶化率。
