編號(hào)：FTJS04132
篇名：硅基石墨烯場(chǎng)效應(yīng)管關(guān)鍵工藝研究
作者：張鳳； 方新心； 成霽； 唐逢杰； 金慶輝； 趙建龍；
關(guān)鍵詞：石墨烯； 濺射； 熱蒸發(fā)； 石墨烯轉(zhuǎn)移； 等離子體刻蝕；
機(jī)構(gòu)： 中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所傳感技術(shù)聯(lián)合國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室； 中國(guó)科學(xué)院與德國(guó)于利希研究中心超導(dǎo)與生物電子學(xué)聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室； 中國(guó)科學(xué)院大學(xué)；
摘要： 石墨烯由于其獨(dú)特的電學(xué)特性受到關(guān)注,工藝的研究促使石墨烯材料的實(shí)際應(yīng)用。著重于石墨烯場(chǎng)效應(yīng)管關(guān)鍵工藝(目標(biāo)襯底的預(yù)處理、石墨烯的轉(zhuǎn)移、金屬沉積、石墨烯刻蝕與退火)的優(yōu)化。通過(guò)實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn),襯底上硅醇基的密度以及碳?xì)浠衔锓肿拥拇笮?duì)器件的性能有很大的影響;與熱蒸發(fā)方式相比,濺射會(huì)對(duì)石墨烯引入更多的缺陷,降低器件性能;金屬上石墨烯的接觸電阻率為1.1×104Ω·μm,而金屬下石墨烯的電阻率為2.4×105Ω·μm;應(yīng)用射頻和微波等離子體系統(tǒng)對(duì)石墨烯進(jìn)行刻蝕,微波等離子體會(huì)造成石墨烯上的光刻膠碳化,使得光刻膠很難用丙酮去除;器件制備完成后,樣品需要在(H2/Ar)還原性氣氛中退火,以除去吸附在石墨烯表面的雜質(zhì),提高器件的性能。
