編號：FTJS04730
篇名：WD-50表面改性對粉體Zeta電位的影響
作者：鄭彩華；
關鍵詞：表面改性； 無機粉體； Zeta電位；
機構： 清遠職業(yè)技術學院機電工程學院；
摘要： 本文采用硅烷偶聯(lián)劑WD-50對SiC、Si3N4和SiO2三種無機粉體進行表面改性,主要研究了改性前后粉體的Zeta電位,并對SiC粉體改性前后進行了XRD和FT-IR分析。結果表明,改性后粉體的Zeta電位發(fā)生了顯著變化,其主要原因是表面包覆了一層偶聯(lián)劑,使粉體的表面結構以及表面荷電性質發(fā)生了改變。改性粉體Zeta電位的變化與偶聯(lián)劑主要官能團有關,WD-50含有-NH2,能使粉體顆粒表面吸附H+變成-NH3+,從而使改性粉體的等電點向中性偏堿性移動,且在酸性區(qū)域的Zeta電位提高。
