編號：NMJS05003
篇名：碲化鎘納米晶中溫度相關(guān)的能量轉(zhuǎn)移研究
作者：夏崢嶸； 李榮青；
關(guān)鍵詞：發(fā)光學(xué)； 能量轉(zhuǎn)移； 溫度； 缺陷； 碲化鎘納米晶；
機(jī)構(gòu)： (淮南師范學(xué)院物理與電子信息系； 淮南232001)；
摘要： 通過測量碲化鎘納米晶層在不同溫度下(78k至300k)發(fā)光光譜的變化,討論了不同尺寸納米晶之間以及單個納米晶內(nèi)部本體態(tài)至缺陷態(tài)兩種能量轉(zhuǎn)移隨溫度的變化規(guī)律。研究發(fā)現(xiàn),碲化鎘納米晶層在低溫下有明顯的本體(～520 nm)和缺陷(～605 nm) 發(fā)光,且其發(fā)光強(qiáng)度隨溫度的改變呈現(xiàn)了不同的變化規(guī)律。構(gòu)造了一個納米晶能量轉(zhuǎn)移模型來解釋發(fā)光強(qiáng)度隨溫度的改變。兩種能量轉(zhuǎn)移在溫度變化的第一階段(78k至140k)對發(fā)光強(qiáng)度的影響起主要作用。對于碲化鎘納米晶來說,大尺寸納米晶發(fā)光效率高。因此,隨著溫度的升高缺陷態(tài)發(fā)光強(qiáng)度迅速降低,本體發(fā)光強(qiáng)度逐漸升高。而在溫度變化的第二階段(140k至300k),能量轉(zhuǎn)移起次要作用。隨著溫度的升高,缺陷態(tài)和本體態(tài)發(fā)光強(qiáng)度均逐漸降低。模型說明納米晶發(fā)光強(qiáng)度的變化分成兩個階段主要是能量轉(zhuǎn)移強(qiáng)度不同引起的。為了進(jìn)一步驗(yàn)證這種模型,通過將碲化鎘納米晶層的干燥過程放在近真空條件下進(jìn)行,得到的納米晶層表面缺陷大量減少。因此,在溫度變化的第一階段,本體至缺陷態(tài)的能量轉(zhuǎn)移不再起主要作用。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明缺陷發(fā)光強(qiáng)度隨溫度的改變不再分成兩個階段,證實(shí)了能量轉(zhuǎn)移模型是合理的。
