編號(hào)：NMJS05025
篇名：電阻熱蒸發(fā)與磁控濺射對(duì)制備二維銀納米陣列的影響
作者：李昌偉； 張春婧； 孔令琦；
關(guān)鍵詞：納米球刻蝕； 電阻熱蒸發(fā)； 磁控濺射； 沉積方向； 吸收光譜；
機(jī)構(gòu)： 廈門(mén)大學(xué)材料學(xué)院； 廈門(mén)大學(xué)中國(guó)-澳大利亞功能納米材料聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室； 中航飛機(jī)股份有限公司漢中飛機(jī)分公司；
摘要： 利用納米球刻蝕法制備二維銀納米陣列的過(guò)程中,不同的物理氣相沉積方法得到的銀納米陣列結(jié)構(gòu)形貌不同。其中電阻熱蒸發(fā)沉積得到完整三角形狀的二維銀納米陣列,而磁控濺射沉積得到蜂窩狀銀納米陣列。同時(shí)在沉積過(guò)程中通過(guò)改變金屬粒子沉積方向也可獲得結(jié)構(gòu)不同的銀納米陣列,其中將基片固定,使蒸發(fā)源垂直沉積時(shí)制備出的二維銀納米陣列更加致密、完整。最后吸收光譜驗(yàn)證了采用電阻熱蒸發(fā)垂直沉積時(shí)得到結(jié)構(gòu)完整且面積較大的銀納米陣列,以上研究為二維銀納米陣列的應(yīng)用提供了條件。
