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多晶Lu2SiO5∶Ce發(fā)光粉體中Ce價(jià)態(tài)的XANES表征及其VUV光譜特性

編號(hào):CPJS02837

篇名:多晶Lu2SiO5∶Ce發(fā)光粉體中Ce價(jià)態(tài)的XANES表征及其VUV光譜特性

作者:范靈聰; 張瑜瑜; 張園; 施鷹; 謝建軍; 雷芳;

關(guān)鍵詞:LSO∶Ce; 化合價(jià); X-射線吸收近邊結(jié)構(gòu); VUV光譜;

機(jī)構(gòu): 上海大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院;

摘要: 采用X射線吸收近邊結(jié)構(gòu)(XANES)譜對(duì)多晶Lu2SiO5∶Ce(LSO∶Ce)發(fā)光粉體中Ce元素的化合價(jià)狀態(tài)進(jìn)行了表征,結(jié)果表明:在空氣下煅燒后得到的不同Ce摻雜濃度的LSO∶Ce粉體中,Ce3+在總摻雜Ce中的含量?jī)H為18%~39%;而經(jīng)1 000℃/2 h的氫氣氣氛下退火后,LSO∶0.5%Ce粉體中Ce3+的相對(duì)含量由39%大幅提高到83%。真空紫外(VUV)激發(fā)發(fā)射光譜表明:當(dāng)Ce的摻雜摩爾分?jǐn)?shù)為0.25%~1%時(shí),Ce3+的摩爾分?jǐn)?shù)與LSO∶Ce粉體的發(fā)光強(qiáng)度具有很好的關(guān)聯(lián)性。氫氣退火處理可以使LSO∶Ce粉體的發(fā)光強(qiáng)度提高近40%。LSO∶Ce粉體在變溫條件(50~250 K)下的發(fā)射強(qiáng)度表現(xiàn)出良好的穩(wěn)定性,未觀察到熱猝滅現(xiàn)象發(fā)生。

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