編號：NMJS05147
篇名：彎曲BN納米片的電子性質(zhì)及其調(diào)制
作者：馮小勤； 賈建明； 陳貴賓；
關鍵詞：第一性原理； 彎曲； 電場； 電子性質(zhì)；
機構(gòu)： 淮陰師范學院物理與電子電氣工程學院；
摘要： BN納米片是具有一定寬度、無限長度的一維蜂窩構(gòu)型單層帶狀氮化硼材料,彎曲的BN納米片因為P z軌道旋轉(zhuǎn),將表現(xiàn)出一定的獨特的電子性質(zhì).通過第一性原理計算,利用MS(Material Studio)中的DMOL3(local density functional calculations on molecules)軟件計算了Zigzag和Armchair型BN納米片彎曲以后的能帶結(jié)構(gòu).BN納米帶的帶隙會隨著彎曲角度的變化而改變,以Armchair型BN納米帶的變化較為明顯;在彎曲的基礎上再加入外電場,卻是Zigzag型BN納米帶的帶隙變化更顯著.當電場加大到一定的值,納米帶就會從半導體變?yōu)榻饘?并且這一臨界電場值的大小和納米帶的彎曲程度有關.電場對帶隙的調(diào)制還和納米帶的尺寸有關系,電場對大尺度的納米帶的調(diào)控性更好,從半導體轉(zhuǎn)變?yōu)榻饘偎枰碾妶鲋狄?
