編號：NMJS05195
篇名：金屬納米顆粒在Lu2O3薄膜中的應變場分析
作者：劉曉山1； 2； 袁彩雷1； 劉桂強1； 付國蘭1； 駱興芳1；
關鍵詞：納米顆粒； 薄膜； 有限元方法； 壓縮應力； 應變；
機構： (1.江西師范大學物理與通信電子學院； 南昌330022)(2.江西省光電子與通信重點實驗室； 南昌330022)；
摘要： 利用有限元分析法對鑲嵌在Lu2O3薄膜中的Au、Cu、Pt、Co金屬納米顆粒的應變場分布進行了分析,分析表明:金屬納米顆粒在生長過程中受Lu2O3薄膜的壓縮應力作用,從而在納米顆粒內(nèi)部和表面產(chǎn)生相應應變,應變分布與金屬納米顆粒的楊氏模量和泊松比有關。楊氏模量大的金屬納米顆粒表面應變和內(nèi)部應變差異較大;而楊氏模量小的金屬納米顆粒內(nèi)外應變差相對較小。隨著金屬納米顆粒在基體材料內(nèi)部不斷生長,金屬納米顆粒受到的偏應變也逐漸增大。金屬納米顆粒生長過程中的這種偏應變的存在和變化將極大地影響其內(nèi)部晶格結構和表面形貌,進而影響金屬納米顆粒的性能。
