編號：NMJS05275
篇名：化學(xué)水浴法制備柔性襯底的ZnO納米棒陣列
作者：蔣里鋒； 董云飛； 黃培；
關(guān)鍵詞：ZnO納米棒陣列； 化學(xué)水浴法； 聚酰亞胺； 柔性襯底；
機構(gòu)： 南京工業(yè)大學(xué)材料化學(xué)工程國家重點實驗室；
摘要： 利用化學(xué)水浴法在預(yù)先制備的聚酰亞胺(PI)/ZnO薄膜襯底上生長ZnO納米棒陣列。通過X線衍射儀(XRD)和掃描電子顯微鏡(SEM)對ZnO納米棒陣列進行表征。考察襯底的性質(zhì)、反應(yīng)溶液的濃度、反應(yīng)溫度和反應(yīng)時間對ZnO納米棒陣列的影響。結(jié)果表明:c軸取向生長的ZnO薄膜襯底有助于形成六棱柱形ZnO納米棒晶體。水溶液環(huán)境中生長的ZnO納米棒晶體長徑比受到反應(yīng)溶液濃度和溫度的影響。ZnO生長初期c軸方向生長速度較快,經(jīng)過一段時間后納米棒的直徑開始增大,并且能和周圍的納米棒晶體融合生長形成更大的納米棒晶體。
