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不同殼層厚度的LaF_3∶Eu3+/LaF_3核殼結(jié)構(gòu)納米顆粒制備及發(fā)光性質(zhì)

編號(hào):NMJS05314

篇名:不同殼層厚度的LaF_3∶Eu3+/LaF_3核殼結(jié)構(gòu)納米顆粒制備及發(fā)光性質(zhì)

作者:牛雙雙; 由芳田; 時(shí)秋峰; 謝蒂旎; 彭洪尚; 黃世華;

關(guān)鍵詞:LaF3∶Eu3+; 核殼結(jié)構(gòu); 同質(zhì)包覆; 納米顆粒;

機(jī)構(gòu): 發(fā)光與光信息教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室北京交通大學(xué)光電子技術(shù)研究所;

摘要: 表面缺陷會(huì)使納米材料的發(fā)光中心產(chǎn)生嚴(yán)重的猝滅,而適當(dāng)厚度的同質(zhì)包覆層會(huì)減少其猝滅。本文利用共沉淀法合成了LaF3∶Eu3+納米顆粒和LaF3∶Eu3+/LaF3核殼結(jié)構(gòu)納米顆粒,研究了顆粒的晶體結(jié)構(gòu)、形貌以及不同殼層厚度對(duì)發(fā)光性能的影響。研究發(fā)現(xiàn):LaF3∶Eu3+核心和LaF3∶Eu3+/LaF3核殼結(jié)構(gòu)均為六方結(jié)構(gòu)。包覆同質(zhì)殼層可以提高稀土離子的發(fā)光性能,包覆厚度的不同導(dǎo)致LaF3∶Eu3+/LaF3核殼結(jié)構(gòu)的熒光強(qiáng)度與衰減時(shí)間均發(fā)生改變。其原因是未摻雜的LaF3殼層可以將發(fā)光中心Eu3+離子與LaF3∶Eu3+核心的表面隔離,進(jìn)而減少表面對(duì)發(fā)光中心的猝滅,提高材料的發(fā)光性能。這種修飾作用與殼層厚度相關(guān)。

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