編號：NMJS05365
篇名：先驅(qū)體轉(zhuǎn)化致密碳化硅納米復(fù)合材料的制備及其熱電性能
作者：韓笑祎； 邢欣； 王軍； 程海峰；
關(guān)鍵詞：碳化硅； 熱電性能； 先驅(qū)體轉(zhuǎn)化法； 納米復(fù)合材料；
機(jī)構(gòu)： 國防科技大學(xué)新型陶瓷纖維及其復(fù)合材料國家重點實驗室； 南京軍區(qū)工程設(shè)計院；
摘要： 以聚碳硅烷和銻改性聚硅烷為先驅(qū)體,利用先驅(qū)體轉(zhuǎn)化Si C材料的富余自由碳高溫石墨化的微觀結(jié)構(gòu)演變特點,采用熱壓燒結(jié)、先驅(qū)體浸漬-裂解法以及退火工藝制備出先驅(qū)體轉(zhuǎn)化Si C納米復(fù)合材料。采用SEM、TEM、XRD和Raman等測試手段表征和分析了相組成和微觀結(jié)構(gòu),討論了樣品的熱導(dǎo)率、電導(dǎo)率和塞貝克系數(shù)等熱電參數(shù)隨溫度變化關(guān)系。研究表明,所得致密Si C納米復(fù)合材料為n型熱電材料。由于納米石墨的作用,材料熱導(dǎo)率抑制在4~8W/(m·K)范圍。1600℃退火處理能夠降低熱導(dǎo)率,同時提高電導(dǎo)率和塞貝克系數(shù)絕對值,使先驅(qū)體轉(zhuǎn)化法得到的Si C納米復(fù)合材料無量綱熱電優(yōu)值ZT達(dá)到0.0028(650℃),高于其他已報道的致密Si C/C復(fù)合材料和納米復(fù)合材料體系。
