編號：NMJS05442
篇名：利用石墨烯摻雜在NPB中的OLED性能研究
作者：高永慧； 張剛； 汪津； 姜文龍； 高欣； 薄報學；
關(guān)鍵詞：石墨烯； 有機電致發(fā)光器件(OLED)； 效率； 亮度；
機構(gòu)： 長春理工大學高功率半導體激光國家重點實驗室； 吉林師范大學信息技術(shù)學院,功能材料物理與化學教育部重點實驗室；
摘要： 采用NPB摻雜石墨烯作為空穴傳輸層,制備有機電致發(fā)光器件(OLED),器件結(jié)構(gòu)為ITO/NPB:Graphene(20wt.%)(50nm)/Alq3(80nm)/LiF(0.5nm)/Al(120nm)。將其與標準器件ITO/NPB(50nm)/Alq3(80nm)/LiF(0.5nm)/Al(120nm)作性能比較,研究石墨烯對OLED性能的影響。結(jié)果表明,在NPB中摻雜石墨烯薄層的器件,在同等條件下性能最佳,當電流密度為90mA/cm2時器件電流效率達到最大值3.40cd/A,與標準器件最高效率相比增大1.49倍;亮度在15V時達到最大值10 070cd/m2,比標準器件最大亮度增大5.16倍。
