編號：CPJS03657
篇名：利用晶硅切割廢砂漿制備 SiC 粉體
作者：楊昱楨 ;向道平 ;何雨翔
關(guān)鍵詞：晶硅廢砂漿 真空碳化 SiC粉末 XRD SEM
機構(gòu)： 海南大學(xué)材料與化工學(xué)院熱帶島嶼資源先進材料教育部重點實驗室
摘要： 以光伏產(chǎn)業(yè)晶硅切割廢砂漿為主要原料,通過真空碳化法制備了 SiC 粉末。在通過物理和化學(xué)方法測定廢砂漿組分含量的基礎(chǔ)上,確定了初始原料 Si/C 配比。隨后,利用 XRD 和 SEM 分別研究了真空熱處理溫度、無機碳源種類等對所制備粉末的物相和組織的影響,產(chǎn)物粉末的粒徑分布范圍通過激光粒度儀測試。研究表明,在900~1100℃溫度范圍,隨著反應(yīng)溫度的升高,硅粉與活性炭的碳化反應(yīng)越來越完全,并在1100℃完全生成了 SiC 粉末。繼續(xù)升溫,X 射線衍射峰的強度逐漸升高,SiC 產(chǎn)物粉末的粒度越來越大。此外,不同碳源在相同條件的碳化反應(yīng)結(jié)果表明,活性炭作為碳源比石墨效果更佳。
