編號(hào)：NMJS05524
篇名：用于GaN薄膜生長(zhǎng)的γ-LiAlO2晶體基片制備工藝研究
作者：鄭威 ;齊濤 ;姜?jiǎng)P麗
關(guān)鍵詞：鋁酸鋰晶體 氮化鎵薄膜 表面粗糙度 二氧化硅 拋光
機(jī)構(gòu)： 哈爾濱理工大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院,哈爾濱150040
摘要： 研究了鋁酸鋰晶體的化學(xué)機(jī)械拋光工藝。自制了SiO2懸浮液作為拋光劑,主要研究拋光過(guò)程中拋盤轉(zhuǎn)速、拋光時(shí)間以及拋光壓力等系列拋光工藝參數(shù)對(duì)拋光晶片表面質(zhì)量的影響規(guī)律。通過(guò)優(yōu)化拋光工藝參數(shù)獲得了適宜制備氮化鎵薄膜的鋁酸鋰晶體基片,最小的表面粗糙度為2.695 nm。結(jié)合氮化鎵薄膜的制備條件,對(duì)拋光好的鋁酸鋰晶體基片采用退火的方法去除生長(zhǎng)態(tài)晶體的熱應(yīng)力和機(jī)械應(yīng)力。利用掃描電子顯微鏡研究了退火后晶片的表面質(zhì)量,同時(shí)用激光共聚焦技術(shù)研究了晶體表面腐蝕坑的三維形貌。退火處理導(dǎo)致了鋁酸鋰晶體表面腐蝕坑的數(shù)目和深度增加。隨著退火溫度的升高和退火的保溫時(shí)間的增加,鋁酸鋰晶體中鋰元素?fù)]發(fā),晶體表面質(zhì)量下降。但是適當(dāng)?shù)谋貢r(shí)間能夠改善鋁酸鋰晶體的完整性,釋放在晶體生長(zhǎng)和試樣制備過(guò)程中存在的熱應(yīng)力和機(jī)械應(yīng)力,改善了晶體質(zhì)量。
