編號(hào)：FTJS05813
篇名：快速熱氧化制備超薄二氧化硅層及其鈍化效果
作者：郭春林[1] ;汪雷[1] ;戴準(zhǔn)[1] ;房劍鋒[2] ;鄭佳毅[3] ;楊德仁[1]
關(guān)鍵詞：RTO SiO2薄膜 太陽(yáng)電池 鈍化
機(jī)構(gòu)： [1]浙江大學(xué)硅材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,材料科學(xué)與工程學(xué)系,浙江杭州310027; [2]上海殷勇電子科技有限公司,上海230088; [3]杭州正泰太陽(yáng)能科技有限公司,浙江杭州310053
摘要： 二氧化硅（SiO2）是制備高效晶體硅太陽(yáng)電池常用的鈍化手段。本文利用快速熱氧化（RTO）技術(shù)在晶體硅表面制備超薄SiO2層,考察其對(duì)硅表面的鈍化作用。在100%O2氣氛下,900℃RTO處理180s,可以使樣品的少子壽命達(dá)到146.6μs的最佳值。采用RTO方法制備的SiO2薄膜厚度可以控制在幾個(gè)納米范圍。通過(guò)與等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD）系統(tǒng)沉積的氮化硅（SiNx）薄膜形成疊層鈍化膜,可以進(jìn)一步提高對(duì)太陽(yáng)電池表面的鈍化效果。單層SiNX薄膜鈍化的樣品有效載流子壽命為51.67μs,SiO2/SiNx疊層薄膜鈍化的樣品有效載流子壽命提高到151.18μs。
