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不同溶劑下制備B2 O3/SiO2納米復合材料對其室溫磷光的影響

編號:NMJS05553

篇名:不同溶劑下制備B2 O3/SiO2納米復合材料對其室溫磷光的影響

作者:莊貞靜[1] ;肖丹[2]

關鍵詞:室溫磷光 二氧化硅 摻雜 硼

機構: [1]華僑大學分子藥物學研究院,福建泉州362021; [2]四川大學化學學院,四川成都610064

摘要: 本文通過對比不同溶劑制備的B2 O3/SiO2納米復合材料室溫磷光光譜,并結合FTIR及XRD的表征結果,研究溶劑對該材料磷光性能的影響。結果表明,不管用何種溶劑制備B2 O3/SiO2室溫磷光材料,均存在兩個磷光發(fā)射峰,一個是位于520-540nm之間,該發(fā)光可能是與氧化硼有關的二氧化硅雜質缺陷發(fā)光,另一個位于470-780nm處,該磷光峰推測是二氧化硅的結構缺陷發(fā)光。但是在制備過程中溶劑將影響氧化硼在二氧化硅結構中的摻雜,進而影響其發(fā)光中心的相對發(fā)光強度。

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