編號(hào)：NMJS05555
篇名：模擬分析SiH4和N2O產(chǎn)生等離子體加強(qiáng)化學(xué)沉積制備SiO2薄膜
作者：陳心園[1] ;黃建[1] ;鄧偉[1] ;王維[1] ;周筑文[1]
關(guān)鍵詞：粒子模擬實(shí)驗(yàn) 硅烷 笑氣 二氧化硅 等離子體加強(qiáng)化學(xué)沉積(PECVD) SiO2薄膜
機(jī)構(gòu)： [1]貴州師范學(xué)院物理與電子科學(xué)學(xué)院,貴州貴陽(yáng)550018
摘要： 通過(guò)等離子體粒子模擬實(shí)驗(yàn)（PIC）,成功模擬了硅烷（SiH4）和笑氣（N2O）的等離子體加強(qiáng)化學(xué)沉積（PECVD）制備SiO2薄膜的過(guò)程.模擬實(shí)驗(yàn)過(guò)程分析了電離后各種離子的動(dòng)能、以及鞘層的空間和能量分布.分析這些物理參量,對(duì)比SiH4和N2O的等離子體加強(qiáng)化學(xué)沉積實(shí)驗(yàn)中的化學(xué)反應(yīng)式,模擬實(shí)驗(yàn)結(jié)果從動(dòng)能、能量空間分布的角度都能合理地解釋等離子體加強(qiáng)化學(xué)沉積制備SiO2薄膜的實(shí)驗(yàn)過(guò)程,通過(guò)這些粒子模擬實(shí)驗(yàn)（PIC）,從理論上合理地解釋了使用SiH4和N2O形成SiO2薄膜的一些形成機(jī)制.
