編號：CPJS03927
篇名：SiO_2基底表面VO_2薄膜的生長模式及相變性能分析
作者：岳芳[1] ;黃婉霞[1] ;施奇武[1] ;鄧賢進[2] ;王成[2] ;張敬雨[1] ;李丹霞[1]
關鍵詞：二氧化釩薄膜 二氧化硅基底 溶膠凝膠 微觀結構 相變性能
機構： [1]四川大學,四川成都610064; [2]中國工程物理研究院,四川綿陽621900
摘要： 采用無機溶膠-凝膠法在二氧化硅基底上制備不同厚度的二氧化釩薄膜,通過X射線光電子能譜、X射線衍射和場發(fā)射掃描電子顯微鏡分析薄膜的化學組成和微觀結構,并利用變溫傅里葉變換紅外光譜對薄膜在紅外波段的相變性能進行檢測。結果發(fā)現：薄膜均沿（110）晶面擇優(yōu)生長;隨厚度增加,其結晶度提高,表面晶粒明顯增大,大小分布越不均勻,并導致薄膜在紅外波段的低溫和高溫透過率均降低,滯后溫寬變窄,相變陡然性增強。
