編號(hào)：FTJS05979
篇名：PI/Al_2O_3/SiO_2雜化薄膜的力學(xué)及電學(xué)性能
作者：陳高汝[1] ;林家齊[1,2] ;李東平[3] ;馮峰[3] ;楊文龍[1]
關(guān)鍵詞：聚酰亞胺 納米二氧化硅 納米氧化鋁 力學(xué)性能 電學(xué)性能
機(jī)構(gòu)： [1]哈爾濱理工大學(xué)應(yīng)用科學(xué)學(xué)院,黑龍江哈爾濱150080; [2]工程電介質(zhì)及其應(yīng)用教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,黑龍江哈爾濱150080; [3]哈爾濱理工大學(xué)化學(xué)與環(huán)境工程學(xué)院,黑龍江哈爾濱150040
摘要： 采用原位聚合法制備摻雜無機(jī)粒子質(zhì)量分?jǐn)?shù)從1%~5%的PI/Si O2/Al2O3納米雜化薄膜.通過SEM發(fā)現(xiàn)無機(jī)納米Al2O3和納米Si O2顆粒在聚酰亞胺基體中有很好的相容性和分散性,其顆粒尺寸大約在100 nm左右.采用萬能試驗(yàn)機(jī)和寬頻介電譜分析儀研究不同濃度Al2O3和Si O2的摻雜對(duì)PI薄膜的力學(xué)性能和電學(xué)性能的影響.當(dāng)質(zhì)量分?jǐn)?shù)為3%的時(shí)候,雜化薄膜力學(xué)性能最佳,具有最大的拉伸強(qiáng)度（36.143MPa）和斷裂伸長率（10.88%）.并且在100Hz下它相比于其它含量的雜化薄膜,具有最小的介電常數(shù)（6.76）、介電損耗（0.01）和電導(dǎo)率（3.94×10-12S·m-1）.
