Gd_2O_2SO_4∶Dy~(3+)納米粉體的共沉淀法合成及光致發(fā)光研究

編號(hào)：NMJS00114

篇名：Gd_2O_2SO_4∶Dy~(3+)納米粉體的共沉淀法合成及光致發(fā)光研究

作者：連景寶; 王秉新; 李曉東; 孫旭東;

關(guān)鍵詞：Gd2O2SO4; 納米粉體; 共沉淀; 光致發(fā)光;

機(jī)構(gòu)： 遼寧石油化工大學(xué)機(jī)械工程學(xué)院; 東北大學(xué)材料各向異性與織構(gòu)教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;

摘要： 采用Gd2O3、Dy2O3、H2SO4和NaOH為實(shí)驗(yàn)原料,通過(guò)共沉淀法合成了Gd2O2SO4∶Dy3+納米粉體。利用X射線衍射(XRD)、透射電子顯微鏡(TEM)和光致發(fā)光(PL)光譜等手段對(duì)合成的粉體進(jìn)行了表征。XRD分析表明前軀體在空氣氣氛下900℃煅燒2h能轉(zhuǎn)化成純相的Gd2O2SO4∶Dy3+。TEM觀察顯示Gd2O2SO4∶Dy3+粉體形貌為近球形,分散性良好,粒度大小為20～40nm。PL光譜分析表明在277nm紫外光激發(fā)下,Gd2O2SO4∶Dy3+的主次發(fā)射峰分別位于575nm(黃光)和485nm(藍(lán)光),分別歸屬于Dy3+的4F9/2→6H13/2和4F9/2→6H15/2躍遷。Dy3+的猝滅濃度是2%(摩爾分?jǐn)?shù)),猝滅機(jī)理是由于Dy3+和Dy3+之間的交換相互作用。余輝光譜研究表明Dy3+的4F9/2→6H13/2和4F9/2→6H15/2躍遷均具有e單指數(shù)衰減行為,熒光壽命分別為0.468和0.462ms。