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NaYF4納米粉體掃描電鏡觀測參數(shù)探討

編號:SBJS00570

篇名:NaYF4納米粉體掃描電鏡觀測參數(shù)探討

作者:楊清華[1] ;王煥平[1] ;衛(wèi)囯英[1] ;徐時(shí)清[1]

關(guān)鍵詞:場發(fā)射掃描電鏡 NaYF4納米粉體 加速電壓 工作距離

機(jī)構(gòu): [1]中國計(jì)量大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院材料分析測試中心,浙江杭州310018

摘要: 合適的加速電壓和工作距離對準(zhǔn)確觀察納米粉體的形貌和粒徑尺寸具有重要影響。以NaYF4納米粉體為研究對象,探討加速電壓與工作距離的匹配性以及不同加速電壓對電鏡成像的影響。通過對比相同加速電壓、不同工作距離下觀察得到的電鏡圖片,得出只有當(dāng)加速電壓與特定的工作距離匹配時(shí)才能得到清晰度高的電鏡圖片,具體加速電壓與工作距離的匹酉己值如下:1kV(4mm),5kV(4mm),10kV(8mm),15kV(12mm),20kV(15mm),25kV(20mm),30kV(25mm)。在合適的工作距離下,通過對比不同加速電壓觀察得到的電鏡圖片,得出隨著加速電壓的增加,電鏡圖片的清晰度呈現(xiàn)出先增強(qiáng)后減弱的趨勢,當(dāng)加速電壓為20kV時(shí)得到清晰度最佳的電鏡圖片。

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