編號(hào)：FTJS06586
篇名：共沉淀法制備Ce摻雜的Gd3（Al，Ga）5O12粉體
作者：張燁[1] ;陳先強(qiáng)[1,2] ;秦海明[1] ;羅朝華[1] ;蔣俊[1] ;江浩川[1]
關(guān)鍵詞：Gd3(Al Ga)5O12陶瓷 共沉淀 煅燒 無機(jī)閃爍體
機(jī)構(gòu)： [1]中國(guó)科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所,寧波315201; [2]中國(guó)科學(xué)院大學(xué),北京100039
摘要： 通過在含有釓、鎵、鋁離子的硝酸混合溶液中滴加氨水，共沉淀生成Ce摻雜的Gd3（Al，Ga）5O12（GAGG）前驅(qū)體，并采用TG／DTA對(duì)GAGG前驅(qū)體進(jìn)行表征。分別在800℃、850℃、900℃、1000℃、1100℃及1200℃對(duì)GAGG前驅(qū)體進(jìn)行煅燒處理，采用XRD對(duì)GAGG粉體的物相進(jìn)行表征，結(jié)果顯示制備出純相的GAGG粉體。采用SEM對(duì)GAGG粉體的顆粒大小以及微觀形貌進(jìn)行觀察。GAGG粉體的熒光譜圖顯示在560nm處有一個(gè)很強(qiáng)的發(fā)射峰。在900℃煅燒處理的GAGG粉體所燒結(jié)的陶瓷具有最高的透明度。
