編號:NMJS05724
篇名:原位反應(yīng)法制備填充疊氮化銅的碳納米管陣列
作者:王燕蘭 ;張方 ;張蕾 ;張植棟 ;韓瑞山 ;孫星
關(guān)鍵詞:碳納米管陣列 疊氮化銅 電化學(xué)沉積 原位反應(yīng)
機構(gòu): 陜西應(yīng)用物理化學(xué)研究所應(yīng)用物理化學(xué)國家級重點實驗室,陜西西安710061
摘要: 以定向碳納米管陣列為工作電極,采用電化學(xué)沉積法制備填充納米銅顆粒的碳納米管陣列,研究不同電沉積參數(shù)對碳納米管填充銅納米顆粒的影響規(guī)律;采用氣一固原位反應(yīng)法獲得填充疊氮化銅的碳納米管含能陣列。采用掃描電鏡、X射線衍射儀對填充疊氮化銅的碳納米管陣列及其前驅(qū)體進行結(jié)構(gòu)表征,采用差示掃描量熱儀研究其熱性能。結(jié)果表明:當(dāng)沉積電流為1mA和10mA,可獲得填充效果理想的填充有納米銅的碳納米管陣列;氣固原位反應(yīng)過程中碳納米管陣列不與疊氮酸發(fā)生反應(yīng)。在熱板點火作用下填充疊氮化銅的碳納米管陣列可靠起爆。采用蘭利法獲得其50%電發(fā)火能量為3.09mJ。