編號(hào)：NMJS05778
篇名：空洞對(duì)鎳基單晶合金納米壓痕過程的影響
作者：楊彪[1] ;鄭百林[1] ;胡興健[1] ;賀鵬飛[1] ;岳珠峰[2]
關(guān)鍵詞：納米壓痕 分子動(dòng)力學(xué) 空洞 錯(cuò)配位錯(cuò)
機(jī)構(gòu)： [1]同濟(jì)大學(xué)航空航天與力學(xué)學(xué)院應(yīng)用力學(xué)研究所,上海200092; [2]西北工業(yè)大學(xué)力學(xué)與土木建筑學(xué)院,西安710072
摘要： 通過分子動(dòng)力學(xué)方法,研究了3種含相同半徑、不同深度空洞的鎳基單晶合金模型與理想模型納米壓痕過程的區(qū)別.采用中心對(duì)稱參數(shù)分析4種模型在不同壓入深度時(shí)基體內(nèi)部位錯(cuò)形核、長(zhǎng)大的過程以及空洞和錯(cuò)配位錯(cuò)對(duì)納米壓痕過程的影響.材料的壓入荷載-壓入深度曲線顯示,空洞最淺的模型與理想模型相差最大.空洞對(duì)材料納米壓痕過程有2種作用,當(dāng)壓入深度較淺時(shí)（h〈0.375 nm）,空洞的存在會(huì)弱化材料,而當(dāng)壓入深度處于0.375~0.567 nm之間時(shí),空洞表面的原子對(duì)位錯(cuò)的長(zhǎng)大起到阻礙作用,使得壓入荷載增加;空洞的坍塌會(huì)吸收一部分應(yīng)變能,減少g相中層錯(cuò)的形成;當(dāng)空洞完全坍塌后,位錯(cuò)會(huì)在空洞原始位置糾纏,并產(chǎn)生大量層錯(cuò),使得壓入荷載減小.g/g＇相相界面存在空洞時(shí),當(dāng)達(dá)到最大壓入深度,部分錯(cuò)配位錯(cuò)分解,且被g相表面吸收,形成表面臺(tái)階.處在最深位置的空洞并未對(duì)材料納米壓痕過程產(chǎn)生影響.
