編號：CPJS04807
篇名：ZnO納米陣列結(jié)構(gòu)酒精氣敏特性研究
作者：曹磊[1] ;丁繼軍[2]
關(guān)鍵詞：ZnO 納米線陣列 酒敏性能 薄膜元件
機(jī)構(gòu)： [1]西安工業(yè)大學(xué)理學(xué)院,西安710021; [2]西安石油大學(xué)理學(xué)院,西安710065
摘要： 為了提高ZnO氣敏元件對酒精蒸汽的氣敏響應(yīng),改善氣敏元件的穩(wěn)定性及耐久性,文中采用化學(xué)水熱法在預(yù)處理后的陶瓷管電極表面生長ZnO納米陣列材料,通過退火處理后得到薄膜ZnO氣敏元件.借助X射線衍射儀和掃描電子顯微鏡對所得產(chǎn)物的晶體結(jié)構(gòu)和形貌進(jìn)行表征.采用靜態(tài)配氣法對其進(jìn)行不同濃度（1×10^-4,2×10^-4,5×10T^-4,1×10^-3）的酒精蒸汽氣敏性能測試.實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明：該結(jié)構(gòu)為分散均勻的ZnO納米線陣列狀結(jié)構(gòu),該納米結(jié)構(gòu)薄膜氣敏元件具有較好的氣敏性能,具有較快的響應(yīng)及恢復(fù).隨環(huán)境中酒精蒸汽濃度的增加,其氣敏性能逐步提升,在5×10^-4酒精蒸汽氣敏濃度下氣敏性能達(dá)到峰值.不同濃度條件下,氣敏響應(yīng)及恢復(fù)時間不同,在1×10^-4條件下度響應(yīng)時間最快,1×10^-3濃度下恢復(fù)時間最快,2×10^-4濃度下響應(yīng)恢復(fù)時間最均衡.
