編號(hào)：CPJS04808
篇名：納米SiO_2/芳綸絕緣紙復(fù)合材料的空間電荷特性和介電性能
作者：廖瑞金[1] ;柳海濱[1] ;柏舸[1] ;郝建[2] ;李蕭[1] ;林元棣[1]
關(guān)鍵詞：芳綸絕緣紙 二氧化硅 納米改性 空間電荷 熱刺激電流 擊穿強(qiáng)度 體積電阻率
機(jī)構(gòu)： [1]輸配電裝備及系統(tǒng)安全與新技術(shù)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室(重慶大學(xué)),重慶400044; [2]國(guó)網(wǎng)重慶市電力公司電力科學(xué)研究院,重慶401123
摘要： 為提高油紙絕緣系統(tǒng)的絕緣壽命,提出將納米SiO_2粒子改性的芳綸絕緣紙應(yīng)用于直流輸變電設(shè)備的方法。在加壓和去壓短路條件下,測(cè)試了不同納米SiO_2含量的芳綸絕緣紙?jiān)嚇拥目臻g電荷特性、熱刺激去極化電流、直流擊穿強(qiáng)度和體積電阻率。結(jié)果表明：添加納米SiO_2使芳綸絕緣紙的線(xiàn)均電荷密度明顯低于純芳綸紙?jiān)嚇?隨納米SiO_2含量的增加,試樣平均電荷密度衰減速率呈現(xiàn)先減小后增大的變化趨勢(shì);SiO_2的添加增加了芳綸紙內(nèi)部深陷阱和淺陷阱的密度;納米SiO_2含量為1wt%時(shí)直流擊穿強(qiáng)度最大;芳綸紙的體積電阻率隨納米SiO_2含量增加呈單調(diào)遞增趨勢(shì)。機(jī)理分析表明納米SiO_2粒子濃度過(guò)高時(shí),其分散性變差導(dǎo)致其對(duì)芳綸紙性能的改善作用變?nèi)酢?/p>
