編號：CPJS04817
篇名：一維GaN納米材料制備及其光電器件研究進展
作者：賈若飛 ;楊麗麗 ;楊豐 ;王飛 ;楊慧 ;李嵐
關鍵詞：GAN 納米線 CVD法 LED 光探測器
機構： 天津理工大學,顯示材料與光電器件教育部重點實驗室,天津市光電顯示材料與器件重點實驗室,材料科學與工程學院,材料物理所,天津300384
摘要： 一維GaN納米材料相對于薄膜材料在光電器件應用方面具有諸多優(yōu)勢,本文主要論述一維GaN納米材料的主要制備方法及其光電器件應用的研究進展。首先分別介紹采用MOCVD、MBE、CVD及模板法制備一維GaN納米材料,重點論述GaN納米材料的結構與形貌調控。其次介紹一維GaN納米材料分別應用于主要光電器件包括LED、太陽能電池、激光器及光探測器的研究動態(tài),討論納米材料性能、結構以及制備技術對其器件性能的影響。最后對一維GaN納米材料的發(fā)展與應用前景進行展望。
