編號(hào)：NMJS05914
篇名：銅基碳納米管復(fù)合薄膜電沉積制備工藝
作者：劉巍[1] ;劉平[2] ;陳小紅[2] ;劉新寬[2] ;李偉[2] ;馬鳳倉(cāng)[2]
關(guān)鍵詞：碳納米管 銅基碳納米管復(fù)合薄膜 電化學(xué)沉積 電導(dǎo)率 制備
機(jī)構(gòu)： [1]上海理工大學(xué)機(jī)械工程學(xué)院,上海200093; [2]上海理工大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院,上海200093
摘要： 為獲得碳納米管分布均勻且導(dǎo)電性良好的銅基碳納米管復(fù)合材料,用超聲輔助攪拌復(fù)合電沉積方法制備了Cu/MWCNT復(fù)合薄膜.采用掃描電子顯微鏡（SEM）、四探針電阻率儀等研究了電沉積過(guò)程中復(fù)合電鍍液中碳納米管濃度、電鍍液p H值、脈沖電流密度等各項(xiàng)電沉積工藝參數(shù)以及不同退火溫度對(duì)復(fù)合薄膜的組織形貌和電阻率的影響規(guī)律.結(jié)果表明：改變鍍液中碳納米管含量和電鍍液的p H值可以改變鍍層中碳納米管的含量及分布,MWCNTs質(zhì)量濃度升高到2 g/L時(shí),復(fù)合薄膜中MWCNTs的質(zhì)量分?jǐn)?shù)達(dá)2.17%;改變電流密度可以細(xì)化鍍層組織并改善碳納米管在鍍層中的分布,從而提高鍍膜的致密度并降低鍍層的電阻率;合適的熱處理溫度可以改善薄膜結(jié)晶度和致密度,并提高導(dǎo)電性.鍍液中MWCNTs質(zhì)量濃度為2 g/L,電鍍液p H為2,電流密度為20 A/dm2,電鍍時(shí)溫度在25℃且加入超聲輔助攪拌時(shí),所得到的復(fù)合鍍膜經(jīng)400℃退火后電阻率最低.
