編號：CPJS04869
篇名：N/P/As/Sb摻雜（9,0）型碳化硅納米管的第一性原理
作者：戴劍鋒[1,2] ;陳達城[2] ;崔春梅[2] ;樊學萍[2]
關鍵詞：碳化硅納米管 摻雜 第一性原理 N型半導體 P型半導體
機構： [1]蘭州理工大學甘肅省有色金屬新材料重點實驗室,甘肅蘭州730050; [2]蘭州理工大學理學院,甘肅蘭州730050
摘要： 基于第一性原理,研究（9,0）型碳化硅納米管壁摻雜N/P/As/Sb元素對其電子結構的影響.結果表明,隨著摻雜的VA族原子半徑的增加,電負性的減弱,其能帶結構發(fā)生較大改變,特別是As/Sb分別取代Si原子后,其能帶展示出P型半導體特性,這點不同于N原子摻雜后的半金屬性,P原子摻雜后表現(xiàn)出的N型半導體特性.計算結果說明五族元素摻雜碳化硅納米管并不都是N型摻雜.
