編號：CPJS04888
篇名：Bi2Te3／Sb超晶格納米線的外延生長和熱電測量
作者：李亮[1] ;許思超[1] ;李廣海[1,2]
關鍵詞：BI2TE3 超晶格納米線 電沉積 熱電 哈曼技術
機構： [1]中國科學院固體物理研究所,中國科學院材料物理重點實驗室,安徽省納米材料與技術重點實驗室,合肥230031; [2]中國科學技術大學化學與材料科學學院,合肥230026
摘要： 通過脈沖電沉積，外延生長出小單元長度的Bi2Te3／Sb超晶格納米線．借助哈曼方法，測量了超晶格納米線陣列的熱電性能，330K時的ZT值可達0．15．研究了Bi2Te3／Sb超晶格納米線陣列器件的制冷或者加熱能力，發(fā)現(xiàn)器件的上下表面的最大溫差可以達N6．6K．
