編號(hào)：NMJS06035
篇名：熱退火、激光束和電子束等作用對納米硅制備及其局域態(tài)發(fā)光特性的影響
作者：吳學(xué)科[1,2,4] ;黃偉其[2] ;董泰閣[2] ;王剛[2] ;劉世榮[3] ;秦朝介[3]
關(guān)鍵詞：激光退火 電子束輻照 晶化 納米硅
機(jī)構(gòu)： [1]貴州大學(xué)大數(shù)據(jù)與信息工程學(xué)院,貴陽550025; [2]貴州大學(xué)納米光子物理研究所,貴陽550025; [3]中國科學(xué)院地球化學(xué)礦床化學(xué)研究所國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,貴陽550003; [4]凱里學(xué)院物
摘要： 在納米晶體硅制備的過程中,晶化處理是影響和提高納米硅發(fā)光效率的重要制備環(huán)節(jié).熱退火、激光退火和電子束輻照是使納米硅樣品晶化的不同方式.實(shí)驗(yàn)表明：選取適當(dāng)?shù)木Щ绞胶蛥⒘繉χ苽浼{米硅晶體結(jié)構(gòu)至關(guān)重要,特別是在制備硅量子點(diǎn)和量子面的過程中控制好參量,可以得到較高的發(fā)光效率.有趣的是,在實(shí)驗(yàn)中發(fā)現(xiàn)：當(dāng)晶化時(shí)間較短（如低于20 min）時(shí),可以獲得較好的納晶硅結(jié)構(gòu)（如量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)）,對應(yīng)于較好的納晶硅光致發(fā)光（PL）和摻雜局域態(tài)發(fā)光;當(dāng)晶化時(shí)間較長（如超過30 min）時(shí),納米晶體硅結(jié)構(gòu)被破壞,致使PL譜逐漸減弱與消失.結(jié)合熱退火、激光退火和電子束輻照對納米硅晶化過程,本文建立起晶化時(shí)間對納米硅局域態(tài)發(fā)光影響機(jī)理的物理模型,解釋了晶化時(shí)間對納米硅局域態(tài)發(fā)光的影響.
