編號：NMJS06045
篇名：GaSb納米線的CVD可控制備及其光學表征
作者：羅曼琳 ;葛峻羽 ;孫文正 ;翟慧芳
關鍵詞：GaSb納米線 可控制備 CVD法 VLS生長機制 光學性質(zhì)
機構： 湖南大學物理與微電子科學學院,長沙410082
摘要： 采用CVD法合成GaSb納米線，并分析生長時間對其長度的影響，隨后對其進行光學表征．實驗過程中，分別采用噴金法和滴金法對硅片進行預處理，再置于相同條件下制備GaSb納米線；之后對其進行表征分析，根據(jù)掃描電子顯微鏡（SEM）表征結果證實，兩種方法制備的納米線都滿足VLS生長機制．且發(fā)現(xiàn)GaSb納米線的生長長度，可以通過改變其生長時間來進行控制．通過該納米線的透射電子顯微鏡圖（TEM）、X射線衍射圖（XRD）等結構表征，表明該納米線為結晶品質(zhì)優(yōu)良的立方閃鋅礦結構；同時，從GaSb納米線的拉曼光譜（Raman）及光致發(fā)光譜（PL）可以反映該納米線具有優(yōu)良的光學性質(zhì)．由此證明，采用CVD法制得的納米線光學性質(zhì)優(yōu)異，且可以實現(xiàn)可控制備．
