編號：NMJS06079
篇名：納米壓印法制作亞波長結(jié)構(gòu)PI減反射膜
作者：田麗[1] ;毛志強(qiáng)[1] ;吳敏[2] ;王蔚[1]
關(guān)鍵詞：亞波長結(jié)構(gòu) 減反射膜 納米壓印 聚酰亞胺 陽極氧化
機(jī)構(gòu)： [1]哈爾濱工業(yè)大學(xué)航天學(xué)院,哈爾濱150001; [2]上�？臻g電源研究所,上海200245
摘要： 為提高柔性基底太陽能電池光電轉(zhuǎn)化效率,減少表面反射損失,用Tracepro光學(xué)仿真軟件模擬設(shè)計亞波長結(jié)構(gòu)減反射膜尺寸參數(shù),仿真結(jié)果表明亞波長結(jié)構(gòu)薄膜在納米柱高度72 nm,占空比為0.5,光柵周期在300~440 nm處,光通量增強(qiáng)效果最佳.采用納米壓印技術(shù),以多孔結(jié)構(gòu)陽極氧化鋁為模板,制作聚酰亞胺基底減反射膜.采用掃描電子顯微鏡和紫外-可見分光光度計研究了陽極氧化技術(shù)所制作的Al2O3模板及其納米壓印技術(shù)等工藝參數(shù)對PI薄膜透過率的影響.測試結(jié)果表明,在0.3 mol/L草酸溶液中,70 V恒壓模式連續(xù)反應(yīng)1 h條件下制備AAO模板,在280℃,800 kg壓力條件下,熱壓印時間為10 min所得PI膜.在AM1.5大氣質(zhì)量條件下,UV-VIS透射光譜從440~1 000 nm區(qū)域,所制作的薄膜較原始PI膜的透過率提高2%~5%.
