編號：CPJS05142
篇名：硫化鎘/石墨烯/TiO2納米棒陣列的光電化學性能
作者：張亞萍[1] ;黃承興[1] ;董開拓[1] ;張志萍[1] ;于濂清[1] ;李焰[2]
關鍵詞：TiO2納米棒 硫化鎘 石墨烯 光電化學性能
機構： [1] 中國石油大學理學院,山東青島,266580; [2] 中國石油大學機電工程學院,山東青島,266580
摘要： 采用水熱法在摻氟導電玻璃（FTO）上生長TiO_2納米棒陣列。通過電化學伏安法將氧化石墨烯還原并沉積在TiO_2納米棒陣列上,再經過化學水浴沉積硫化鎘,形成Cd S/石墨烯/TiO_2陣列復合材料。用X射線衍射儀、掃描電子顯微鏡及X射線能量色散儀對樣品的晶型、形貌以及成分進行分析。通過電化學工作站表征樣品交流阻抗、開路電位、光電流響應及光化學能轉換效率。結果表明,復合材料的電荷轉移電阻約是未修飾的TiO_2納米棒陣列的1/17,光電流比未修飾的TiO_2納米棒陣列提高約2.5倍,在外加電壓為-0.6 V時可達到2.2%。
