編號：NMJS06118
篇名：直流電弧法制備SiC@C核殼型納米粒子及吸波性能研究
作者：卓絕 ;黃昊 ;丁昂
關鍵詞：直流電弧法 納米SiC@C復合粒子 偶極子極化 介電性能
機構： 大連理工大學材料科學與工程學院三束材料改性教育部重點實驗室;中國兵器科學研究院寧波分院
摘要： 采用等離子直流電弧法,在氫氣、氬氣、甲烷分壓分別為10、20、7.5 k Pa的混合氣氛下制備納米SiC@C核殼型復合粒子。利用XRD、Raman對納米粒子的成分進行表征,用TEM對其形貌進行分析。將納米SiC@C復合粒子均勻分散在石蠟基體中,在100 MHz~18 GHz頻率內測定其復介電常數。結果表明,當電磁波吸收材料匹配厚度為8 mm、測試頻率為9.49 GHz時,最大反射損耗能達到-27 d B。對SiC介電特性分析進一步表明,SiC中的C空位(VC)和Si空位(VSi)產生的偶極子發(fā)生的弛豫過程和SiC缺陷帶來的電導率變化是影響介電性能的關鍵因素。
